- Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- 5V @ 250µA
- ±30V
- MOSFET (Metal Oxide)
- TO-247AC
- HEXFET®
- 33mOhm @ 35A, 10V
- 360W (Tc)
- TO-247-3
- Tube
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Through Hole
- 5860 pF @ 25 V
- 150 nC @ 10 V
- N-Channel
- -
- 10V
- 250 V
- 57A (Tc)
- IRFP4332
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP4227PBF | IRFP260MPBF | IRFP4468PBF | IRFP064PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - |
| シリーズ | - | * | * | * |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | - | - | - |
| 運転温度 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | - | - |
| パッケージ | - | Bulk | Bulk | Bulk |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | - | - | - |
| 技術 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | - | - | - | - |
